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[導(dǎo)熱硅膠]片的導(dǎo)熱系數(shù)是導(dǎo)熱硅膠片重要的一個(gè)性能參數(shù)，也是客戶關(guān)心，想了解的一個(gè)性能參數(shù)，但其實(shí)大多數(shù)客戶對(duì)導(dǎo)熱硅膠片導(dǎo)熱系數(shù)的測(cè)定方法有哪些并不是很了解。目前在導(dǎo)熱硅膠片行業(yè)中導(dǎo)熱系數(shù)及其導(dǎo)熱性能測(cè)試方法中主要有三種主流方法：熱板法(Hot Plate)/熱流計(jì)法(Heat Flow Meter)、激光散光法(Laser Flash)和Hot Disk(TPS技術(shù))。以下就這三種測(cè)試方法給大家進(jìn)行一個(gè)簡單介紹及比較。
1、Hot Disk(TPS技術(shù))
樣品尺寸：固體：直徑或邊長大于2mm，厚度大于0.5mm(2個(gè)一模一樣)，樣品可以為不規(guī)則形狀，只要上下表面平整即可；導(dǎo)熱系數(shù)范圍: 0.005―500 W/mK 。溫度范圍: 室溫 ― 700°C，測(cè)試原理：瞬變平面熱源技術(shù)（TPS），測(cè)試模塊：基本、薄膜、平板、各向異性、單面、比熱。探頭尺寸：2-29.40 mm 。
2、熱板法(Hot Plate)/熱流計(jì)法(Heat Flow Meter)穩(wěn)態(tài)法
原理是Fourier傳熱方程式計(jì)算法：dQ=-λdA·dt/dn；其中：式中 Q-----導(dǎo)熱速率，w;A-----導(dǎo)熱面積，m2;dt/dn-----溫度梯度，K/m;λ------導(dǎo)熱系數(shù)，w/m·K;測(cè)試過程中對(duì)樣品施加一定的熱流量，測(cè)試樣品的厚度和在熱板/冷板間的溫度差，得到樣品的導(dǎo)熱系數(shù)，測(cè)試過程中需要樣品為常規(guī)形狀的大塊體以獲得足夠的溫度差。誤差來源：熱板/冷板中的樣品沒有很好的進(jìn)行保護(hù)，存在一定的熱損失。測(cè)溫元件是熱電偶，將熱板/冷板間隙的界面影響都計(jì)算在內(nèi)。一個(gè)誤差來源令這個(gè)方法不適合導(dǎo)熱系數(shù)>2W/mK的樣品，熱損失太大，而且溫度越高，誤差越大。第二個(gè)誤差來源實(shí)際是將接觸熱阻也計(jì)算在內(nèi)，溫度差偏大，因此實(shí)際測(cè)得的導(dǎo)熱系數(shù)偏低。另外，這一方法只能提供導(dǎo)熱系數(shù)的數(shù)據(jù)，精度為5%。
3、激光散光法(Laser Flash)
瞬態(tài)法，其原理是一束激光打在樣品上表面，用紅外檢測(cè)器測(cè)下表面的溫度變化，實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)是樣品的熱擴(kuò)散率，通過與標(biāo)準(zhǔn)樣品的比較，同時(shí)得到樣品的密度和比熱，通過Cp=λ/H, H----熱擴(kuò)散系數(shù)，m2/s;λ----導(dǎo)熱系數(shù)，w/m·K;Cp----體積比熱，J/m3·K，并通過數(shù)據(jù)計(jì)算得到樣品的導(dǎo)熱系數(shù)。此測(cè)試方式優(yōu)點(diǎn)是快速，非接觸法，適合高溫，高導(dǎo)熱樣品，但不適合多層結(jié)構(gòu)、涂層、泡沫、液體、各向異性材料等。原因是激光法測(cè)試的是熱擴(kuò)散率，數(shù)學(xué)模式建立在各向同性材料的基礎(chǔ)上，如為多層結(jié)構(gòu)、涂層，或樣品存在吸收/輻射，則測(cè)得樣品的比熱出現(xiàn)較大偏差。另外，還需要用其他方法測(cè)得密度，才能折算為導(dǎo)熱系數(shù)，增加了誤差的來源。通常，激光脈沖法精度為熱擴(kuò)散率3%，比熱7%，導(dǎo)熱系數(shù)10%。
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